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PFM751V-NS

SURFACEMOUNTSMALLSIGNALTYPE

PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL

霈峰霈峰实业有限公司

PG751

WidebandGainBlock

SJM

SJM Prewell. All Rights Reserved.

PSD751H

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODES

PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL

霈峰霈峰实业有限公司

PSD751S

SURFACEMOUNTZENERDIODES

PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL

霈峰霈峰实业有限公司

PZT751

PNPSiliconPlanarEpitaxialTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

RB751

SchottkyBarrierDiode

GENERALPURPOSEDETEDTION HIGHSPEEDSWITCHING LOWREVERSECURRENTANDFORWARDVLOTAGE

STANSON

Stanson Technology

RB751

Schottkybarrierdiode

Features 1)Ultrasmallmoldtype.(EMD2) 2)LowVF 3)Highreliability Applications Lowcurrentrectification Construction Siliconepitaxialplanar

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RB751D

30mASurfaceMountSmallSignalDiodes

CITCChip Integration Technology Corporation

竹懋科技竹懋科技股份有限公司

RB751G

30mASurfaceMountSmallSignalDiodes

CITCChip Integration Technology Corporation

竹懋科技竹懋科技股份有限公司

RB751S

30mASurfaceMountSmallSignalDiodes

CITCChip Integration Technology Corporation

竹懋科技竹懋科技股份有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    MPS751G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    75MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 2A TO92

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MPS751G供应商 更新时间2025-7-23 14:14:00