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MR751	文件：188.7 Kbytes Page：6 Pages	HIGHCURRENTLEADMOUNTEDSILICONRECTIFIERS50-1000VOLTSDIFFUSEDJUNCTION HIGHCURRENTLEADMOUNTEDSILICONRECTIFIERS50–1000VOLTSDIFFUSEDJUNCTION •CurrentCapacityComparabletoChassisMountedRectifiers •VeryHighSurgeCapacity •InsulatedCase MechanicalCharacteristics: •Case:Epoxy,Molded •Weight:2.5grams(approximately) •Finish:AllExternalS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MR751	文件：82.9 Kbytes Page：1 Pages	25AMPLEADMOUNTBUTTONDIODES FEATURES ●SUGGESTEDREPLACEMENTFORMR751,MR752,MR754,MR756DIODES ●VOIDFREEVACUUMDIESOLDERINGFORMAXIMUMMECHANICALSTRENGTHANDHEATDISSIPATION(SolderVoids:Typical	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
MR751	文件：60.21 Kbytes Page：3 Pages	6Amprectifier50-1000volts Features ●LowCost ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighSurgeCurrentCapability ●LowLeakage	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
MR751	文件：126.63 Kbytes Page：5 Pages	6AmpRectifier50-1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MR751	文件：295.471 Kbytes Page：2 Pages	6A100VRectifyingtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
MR751	文件：217.86 Kbytes Page：2 Pages	6.0AAxialLeadedSiliconRectifier	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MR751	文件：89.78 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentLeadMountedRectifiers	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MR751	文件：108.37 Kbytes Page：2 Pages	AUTOMOTIVERECTIFIERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
MR751	文件：52.08 Kbytes Page：4 Pages	6.0ASTANDARDDIODE DiffusedJunction LowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability HighReliability HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MR751FR	文件：84.93 Kbytes Page：3 Pages	6AmpFastRecoveryRectifier50to1000Volts Features •LowCost •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •FastSwitchingSpeedForHighEfficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

详细参数

型号：
MPS751_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT Si PNP Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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