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TPC6602	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC6602	文件：157.81 Kbytes Page：5 Pages	High-SpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC6602	文件：134.27 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBATRANSISTORSILICONPNPEPITAXIALTYPE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPS6602X	文件：5.12403 Mbytes Page：38 Pages	TPS6602xIntegratedSourceandSinkPowerMultiplexerwithVBUSLDORegulator	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TPS6602X	文件：5.12246 Mbytes Page：37 Pages	TPS6602xIntegratedSourceandSinkPowerMultiplexerwithVBUSLDORegulator	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UM6602	文件：221.09 Kbytes Page：4 Pages	PINDIODE DESCRIPTION TheseseriesofPINdiodesaredesignedforapplicationsrequiringsmallpackagesizeandmoderateaveragepowerhandlingcapability.ThelowcapacitanceoftheUM6000andUM6600allowsthemtobeusedasseriesswitchingelementsto1GHz.ThelowresistanceoftheUM6200isuseful	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM6602B	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UM6602BHRD	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
XC6602	文件：963.58 Kbytes Page：31 Pages	1A,0.5VLowInputVoltage,HighSpeedLDORegulator	TOREXTorex Semiconductor 特瑞仕特瑞仕半导体株式会社	TOREX

详细参数

型号：
MPS6602RLRA
功能描述：
两极晶体管 - BJT 1A 30V NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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