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MPS6601中文资料NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR数据手册Diodes规格书

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厂商型号

MPS6601

参数属性

MPS6601 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 25V 1A TO92

功能描述

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 长体

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-21 21:15:00

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技术参数

  • 产品编号:

    MPS6601

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 500mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 1A TO92

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