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MPS2222ARLRPG	文件：96.07 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS2222ARLRPG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.6A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS2222A-TA	文件：1.71385 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURE ComplementaryNPNTypeavailable(MPS2907A)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MPS2222G	文件：96.07 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS2222-H	文件：189.16 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Collector-current:0.6A •ThroughHolePackage •Capableof625mWattsofPowerDissipation •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:Τj.Tstg:-55to+150°C°C •Marking:Typenumber •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorde	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MPS2222-H	文件：286.21 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MPS2222-L	文件：189.16 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Collector-current:0.6A •ThroughHolePackage •Capableof625mWattsofPowerDissipation •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:Τj.Tstg:-55to+150°C°C •Marking:Typenumber •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorde	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MPS2222-L	文件：286.21 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MPS2222RLRA	文件：119.99 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS2222RLRM	文件：119.99 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MPS2222ARLRPG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 40V 0.6A TO92

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