MPQ3762中文资料Through-Hole Transistor-Quad PNP General Purpose Amplifier/Switch数据手册Central规格书
| 厂商型号 |
MPQ3762 |
| 参数属性 | MPQ3762 封装/外壳为14-DIP（0.300"，7.62mm）；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列；产品描述：TRANS 4PNP 40V |
| 功能描述 | Through-Hole Transistor-Quad PNP General Purpose Amplifier/Switch |
| 封装外壳 | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 制造商 | Central Central Semiconductor Corp |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 14:03:00 |
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MPQ3762规格书详情
简介
MPQ3762属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列。由制造生产的MPQ3762晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
技术参数
更多- 制造商编号
：MPQ3762
- 生产厂家
：Central
- Case
：TO-116
- Configuration/ Description
：PNP General Purpose Amplifier/Switch
- Polarity
：4XPNP
- IC MAX
：1.5A
- PD MAX
：750mW
- VCEO MAX
：40V
- hFE MIN
：35
- hFE MAX
：-
- @VCE
：1V
- VCE(SAT) MAX
：550mV
- @IC
：500mA
- @IB
：50mA
- Cob TYP
：-
- Cob MAX
：15pF
- fT TYP
：-
- fT MIN
：150MHz
- NF MAX
：-
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
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