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MPQ3762数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF

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厂商型号

MPQ3762

参数属性

MPQ3762 封装/外壳为14-DIP(0.300",7.62mm);包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS 4PNP 40V

功能描述

Through-Hole Transistor-Quad PNP General Purpose Amplifier/Switch
TRANS 4PNP 40V

封装外壳

14-DIP(0.300",7.62mm)

制造商

Central Central Semiconductor Corp

中文名称

美国中央半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-9 18:09:00

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MPQ3762规格书详情

简介

MPQ3762属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由制造生产的MPQ3762晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MPQ3762

  • 生产厂家

    :Central

  • Case

    :TO-116

  • Configuration/ Description

    :PNP General Purpose Amplifier/Switch

  • Polarity

    :4XPNP

  • IC MAX

    :1.5A

  • PD MAX

    :750mW

  • VCEO MAX

    :40V

  • hFE MIN

    :35

  • hFE MAX

    :-

  • @VCE

    :1V

  • VCE(SAT) MAX

    :550mV

  • @IC

    :500mA

  • @IB

    :50mA

  • Cob TYP

    :-

  • Cob MAX

    :15pF

  • fT TYP

    :-

  • fT MIN

    :150MHz

  • NF MAX

    :-

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