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MPQ1918GQE-AEC1	文件：634.64 Kbytes Page：18 Pages	100V, High-Frequency, Half-Bridge GaN/MOSFET Driver, AEC-Q100 Qualified DESCRIPTION The MPQ1918 is designed to drive enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs or N-channel MOSFETs with a low gate threshold voltage in a half-bridge or synchronous application. The MPQ1918 features independent high-side (HS) and low-side (LS) pulse-width modulation (PWM) inputs 文件：634.64 Kbytes 页数：18 Pages	MPS 美国芯源	MPS
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更多MPQ1918GQE-AEC1供应商更新时间2025-12-17 15:16:00