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MPX7050GVS	文件：191.02 Kbytes Page：10 Pages	0to50kPa(0to7.25psi)40mVFULLSCALESPAN(TYPICAL) ThenewMPX7050seriespressuresensorincorporatesalltheinnovativefeaturesofMotorola’sMPX2000seriesfamilyincludingthepatented,singlepiezoresistivestraingauge(X–ducer)andon–chiptemperaturecompensationandcalibration.Inaddition,theMPX7050serieshasahighinputimpedance	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPX7050GVSX	文件：191.02 Kbytes Page：10 Pages	0to50kPa(0to7.25psi)40mVFULLSCALESPAN(TYPICAL) ThenewMPX7050seriespressuresensorincorporatesalltheinnovativefeaturesofMotorola’sMPX2000seriesfamilyincludingthepatented,singlepiezoresistivestraingauge(X–ducer)andon–chiptemperaturecompensationandcalibration.Inaddition,theMPX7050serieshasahighinputimpedance	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPXARCA7050	文件：124.28 Kbytes Page：2 Pages	Mountingplate(630x430mm)	FIBOXFIBOX Enclosing innovations 菲宝斯广州菲宝克斯工程塑料有限公司	FIBOX
NDB7050	文件：378.31 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB7050	文件：344.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDB7050L	文件：64.41 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB7050L	文件：344.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP7050	文件：378.31 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP7050	文件：979.22 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDP7050	文件：294.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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