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MPN3700G中文资料RF DIODE PIN 200V 280MW TO92数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MPN3700G

参数属性

MPN3700G 封装/外壳为TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE PIN 200V 280MW TO92

功能描述

RF DIODE PIN 200V 280MW TO92

封装外壳

TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 15:30:00

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MPN3700G规格书详情

简介

MPN3700G属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的MPN3700G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MPN3700G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 电压 - 峰值反向(最大值)

    :200V

  • 不同 Vr,F 时的电容

    :1pF @ 20V,1MHz

  • 不同 If,F 时的电阻

    :1 欧姆 @ 10mA,100MHz

  • 功率耗散(最大值)

    :280mW

  • 工作温度

    :125°C(TJ)

  • 封装/外壳

    :TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC)

  • 供应商器件封装

    :TO-92

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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