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30KP75A	文件：188.59 Kbytes Page：3 Pages	30kWTransientVoltageSuppressor DESCRIPTION TheseMicrosemi30kWTransientVoltageSuppressors(TVSs)aredesignedforapplicationsrequiringprotectionofvoltage-sensitiveelectronicdevicesthatmaybedamagedbyharshorseverevoltagetransientsincludinglightningperIEC61000-4-5andclasslevelswithvarioussourceimp	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
30KP75A	文件：237.22 Kbytes Page：3 Pages	30000WattsTransientVoltageSuppressor28to288Volt Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •30000WattsPeakPulsePowerCapabilityon10/1000uswaveform •Glasspassivatedjunction •PlasticpackageDevicesandLowincrementalsurgeresistance •Hightemperaturesolde	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
30KP75A	文件：30.37 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Glasspassivatedjunction •30000WPeakPulsePowercapabilityon10/1000µswaveform •Excellentclampingcapability •Repetitionrate(dutycycle):0.05 •Lowincrementalsurgeresistance •Fastresp	MDE MDE Semiconductor, Inc.	MDE
30KP75A	文件：125.68 Kbytes Page：3 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VR:26-400Volts PPK:30,000Watts FEATURES: Glasspassivatedjunctionchip ExcellentClampingCapability FastResponseTime LowLeakageCurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
30KP75A	文件：395.67 Kbytes Page：3 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES: ExcellentClampingCapability FastResponseTime LowLeakageCurrent Pb/RoHSFree	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
30KP75C	文件：395.67 Kbytes Page：3 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES: ExcellentClampingCapability FastResponseTime LowLeakageCurrent Pb/RoHSFree	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
30KP75C	文件：395.67 Kbytes Page：3 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES: ExcellentClampingCapability FastResponseTime LowLeakageCurrent Pb/RoHSFree	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
30KP75CA	文件：104.55 Kbytes Page：5 Pages	30000WTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR GlassPassivatedDieConstruction 30000WPeakPulsePowerDissipation 28V–288VStandoffVoltage Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ExcellentClampingVoltage TypicalResponseTime	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
30KP75CA	文件：3.29292 Mbytes Page：6 Pages	30000WSurfaceMountTransientVoltageSuppressors Features Glasspassivatedchip 30000WPeakpowercapabilityat10×1000μswaveformRepetition rate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan2μAabove64V Lowleakage UniandBidirectionalunit Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime RoHScompliant	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
30KP75CA	文件：421.82 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedJunctionTransientVoltageSuppressor FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Glasspassivatedjunction 30000WPeakPulsePower capabilityon10/1000μswaveform Excellentclampingcapability Repetitionrate(dutycycle):0.05 Lowincrementalsurgeresistance Fastresponsetime:t	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

产品属性

产品编号：
MPLAD30KP75CA/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Military, MIL-PRF-19500
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
75V
电压 - 击穿（最小值）：
83.3V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
121V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
246A
功率 - 峰值脉冲：
30000W（30kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
非标准型 SMD
供应商器件封装：
PLAD
描述：
TVS DIODE 75VWM 121VC PLAD

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