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MPLAD30KP51AE3数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF

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厂商型号

MPLAD30KP51AE3

参数属性

MPLAD30KP51AE3 封装/外壳为非标准型 SMD;包装为散装;类别为电路保护的TVS-二极管;MPLAD30KP51AE3应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD

功能描述

High-Reliability Diodes
TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD

封装外壳

非标准型 SMD

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 20:00:00

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MPLAD30KP51AE3规格书详情

描述 Description

These high power 30 kW rated transient voltage suppressors in a surface mount package are provided with design features to minimize thermal resistance and cumulative heating. They are particularly effective at meeting the multi-stroke lightning standard RTCA DO-160, section 22 for aircraft design.This efficient low profile package design is offered in standoff voltage selections(Vwm) of 14 volt to 400 volts in either unidirectional or bidirectional construction.  ROHS, PB Free

简介

MPLAD30KP51AE3属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的MPLAD30KP51AE3TVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    MPLAD30KP51AE3

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    散装

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    51V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    56.7V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    82.4V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    366A

  • 功率 - 峰值脉冲:

    30000W(30kW)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    非标准型 SMD

  • 供应商器件封装:

    PLAD

  • 描述:

    TVS DIODE 51VWM 82.4VC PLAD

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