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30KP40A	文件：395.67 Kbytes Page：3 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VR:26-400Volts PPK:30,000Watts FEATURES: Glasspassivatedjunctionchip ExcellentClampingCapability FastResponseTime LowLeakageCurrent *Pb/RoHSFree	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
PLAD30KP40	文件：275.57 Kbytes Page：5 Pages	30kWSurfaceMountTransientVoltageSuppressor	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PLAD30KP40A	文件：275.57 Kbytes Page：5 Pages	30kWSurfaceMountTransientVoltageSuppressor	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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STPK30KP40CA	文件：365.69 Kbytes Page：8 Pages	TransientVoltageSuppressor Lowprofilesurfacemount Fastresponse Suppressestransientsupto30kW@10/1000μs and200kW@8/20μs ThisisaPb−FreeDevice Baseplate:PureSnplated;Terminal:PureSnplated Baseplateiscathode,Terminalisanode Polarity:ASuffixdesignatesunidirectional; CASuffixdesignate	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
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产品属性

产品编号：
MPLAD30KP40CA/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Military, MIL-PRF-19500
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
40V
电压 - 击穿（最小值）：
44.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
64.5V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
468A
功率 - 峰值脉冲：
30000W（30kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
非标准型 SMD
供应商器件封装：
PLAD
描述：
TVS DIODE 40VWM 64.5VC PLAD

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