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MPC859TTS	文件：309.43 Kbytes Page：12 Pages	PowerQUICC??Family Technical Summary	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPC859TTSD	文件：309.43 Kbytes Page：12 Pages	PowerQUICC??Family Technical Summary	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF859	文件：155.82 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF859S	文件：155.82 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MUR859	文件：56.6 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Singlerectifierconstruction •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR859	文件：59.5 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MZ859	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NTE859	文件：30.43 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitQuad,LowNoise,JFETInputOperationalAmplifier Description: TheNTE859(14–LeadDIP)andNTE859SM(SOIC–14SurfaceMount)JFET–inputoperationalamplifiersarelownoiseamplifierswithlownoiseinputbias,offsetcurrents,andfastslewrate.Thelowharmonicdistortionandlownoisemakethesedevicesideallysuitedasamplifiersforhigh–	NTE NTE Electronics	NTE
NTE859SM	文件：30.43 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitQuad,LowNoise,JFETInputOperationalAmplifier Description: TheNTE859(14–LeadDIP)andNTE859SM(SOIC–14SurfaceMount)JFET–inputoperationalamplifiersarelownoiseamplifierswithlownoiseinputbias,offsetcurrents,andfastslewrate.Thelowharmonicdistortionandlownoisemakethesedevicesideallysuitedasamplifiersforhigh–	NTE NTE Electronics	NTE
OPA859	文件：1.76729 Mbytes Page：29 Pages	OPA814600-MHz,High-Precision,Unity-GainStable,FET-InputOperationalAmplifier 1Features •Widebandwidth: –Gain-bandwidthproduct:250MHz –Bandwidth(G=1V/V):600MHz –Large-signalbandwidth(2VPP):200MHz –Slewrate:750V/μs •Highprecision: –Inputoffsetvoltage:250μV(maximum) –Inputoffsetvoltagedrift:3.5μV/°C(maximum) •Inputvoltagenois	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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深圳市昌和盛利电子有限公司	MPC859TVR100A	FREESCAL	23+	BGA	19726		询价
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