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MPA201分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

MPA201

参数属性

MPA201 封装/外壳为55AU;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 22V 2GHZ 55AU

功能描述

0.5 Watts, 12.5 Volts, Class A Linear to 500MHz Hybrid Amplifier
RF TRANS NPN 22V 2GHZ 55AU

封装外壳

55AU

文件大小

107.23 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

MICROSEMI

中文名称

美高森美

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更新时间

2026-1-24 16:44:00

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MPA201规格书详情

MPA201属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由美高森美半导体公司制造生产的MPA201晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

GENERAL DESCRIPTION

The MPA201 is a common emitter amplifier device designed for broadband performance to 500MHz in a format suitable for microstrip assembly and high reliability applications. Its wide dynamic rage and flexibility make it suitable for a broad spectrum of instrumentation, receiver, and transmitter applications. It utilizes gold metalization and diffused ballasting to provide high reliability and supreme ruggedness.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MPA201

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    22V

  • 频率 - 跃迁:

    2GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 最大值:

    6W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 100mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    300mA

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    55AU

  • 供应商器件封装:

    55AU

  • 描述:

    RF TRANS NPN 22V 2GHZ 55AU

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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