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PBHV8110DW-AU	文件：387.78 Kbytes Page：6 Pages	NPNLowVce(sat)Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.35V(max)@Ic/Ib=500mA/50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard PNPcomple	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBSS8110D	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110D	文件：97.81 Kbytes Page：12 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaplasticSOT457(SC-74)package. Features ■SOT457package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiency,leadingtolessheatgeneration. Applications ■Majorapplication	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110D	文件：286.32 Kbytes Page：13 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features SOT457package Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highefficiency,leadingtolessheatgeneration	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS8110S	文件：54.37 Kbytes Page：7 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsatBISStransistorinaSOT54plasticpackage. FEATURES •SOT54package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration. APPLICATIONS •Automotive42Vpower •Tel	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110T	文件：133.67 Kbytes Page：12 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PBSS9110T. FEATURES •SOT23package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circ	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS8110T	文件：1.38886 Mbytes Page：13 Pages	100V,1ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS9110T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM 3.Applications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS8110T-Q	文件：281.57 Kbytes Page：13 Pages	100V,1ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS9110T-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Qualifiedacc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS8110X	文件：148.26 Kbytes Page：15 Pages	100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT89(SC-62/TO-243)SMDplasticpackage. PNPcomplement:PBSS9110X. Features ■SOT89package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Higheffic	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
MP8110DK-LF
功能描述：
电流灵敏放大器 40V Prec High-Side Current Sense Amp
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
共模抑制比（最小值）：
110 dB
输入补偿电压：
80 uV
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
2.7 V
电源电流：
350 uA
最大工作温度：
+ 125 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-16
封装：
Reel

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