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NX6504SK	文件：336.5 Kbytes Page：13 Pages	LASERDIODE 1550nmFOR156Mb/s,622Mb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6504Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW)structured DistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.This deviceisidealforSynchronousDigitalHierarchy(SDH)system,STM-1,STM-	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6504SK	文件：95.32 Kbytes Page：4 Pages	1550nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFORFIBEROPTICCOMMUNICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
P6504	文件：463.33 Kbytes Page：1 Pages	HALFBRIDGELLCRESONANTTRANSFORMER	MPSINDMPS Industries, Inc. 美国芯源	MPSIND
PT6504	文件：291.1 Kbytes Page：7 Pages	8AMPADJUSTABLEISRWITHSHORT-CIRCUITPROTECTION	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT6504	文件：241.53 Kbytes Page：10 Pages	SmallSIPFootprint	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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PUR6504-UY	文件：261.519 Kbytes Page：2 Pages	Mini-Com짰TX6??PLUSUTPCouplerModulesandPatchPanelSPECIFICATIONSHEET	PANDUITPanduit Corp Panduit公司Panduit科技有限公司	PANDUIT
R6504	文件：33.39 Kbytes Page：2 Pages	PHOTOMULTIPLIERTUBE PHOTOMULTIPLIERTUBE ForanOperationinMagneticFieldsover1Tesla 64mm(2.5Inch)Head-On,FastTimeResponse,HighPulseLinearity 19-stageFineMeshDynodes,BialkaliPhotocathode	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
R6504ENJ	文件：299.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=4.0A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.05Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariatio	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6504ENX	文件：295.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=4.0A@TC=25℃ DrainSourceVoltage-:VDSS=650V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.05Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariatio	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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