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SI1922EDH	文件：261.769 Kbytes Page：12 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI1922EDH	文件：265.1 Kbytes Page：12 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •TypicalESDProtection2100VHBM •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQ1922AEEH	文件：413.48 Kbytes Page：17 Pages	AutomotiveDualN-Channel20V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SQ1922AEEH	文件：412.56 Kbytes Page：17 Pages	AutomotiveDualN-Channel20V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •AEC-Q101qualified •100Rgtested •TypicalESDprotection:800V •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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TLV1922	文件：1.95902 Mbytes Page：26 Pages	TLV192xFamilyof65VComparatorswithIntegrated2.5VVoltageReference 1Features •Widesupplyrange:3.3Vto65V •Fail-safeinputsupto65V •Open-drainoutputupto65V •2.5V,1.5%,100ppmmaximumvoltagereference •Referenceoutputcandriveupto1mA •3mVinputoffsetvoltage •900nspropagationdelay •Power-on-resetprovidesaknownstartupco	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV1922DSGR	文件：1.95902 Mbytes Page：26 Pages	TLV192xFamilyof65VComparatorswithIntegrated2.5VVoltageReference 1Features •Widesupplyrange:3.3Vto65V •Fail-safeinputsupto65V •Open-drainoutputupto65V •2.5V,1.5%,100ppmmaximumvoltagereference •Referenceoutputcandriveupto1mA •3mVinputoffsetvoltage •900nspropagationdelay •Power-on-resetprovidesaknownstartupco	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

产品属性

产品编号：
MP1922GV-P
制造商：
Monolithic Power Systems Inc.
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
0V ~ 100V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
3A，4A
输入类型：
非反相
工作温度：
-40°C ~ 165°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
22-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
22-QFN（4x5）
描述：
100V, 3A, SINGLE-CHANNEL, HALF-B

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