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RSUS1921	文件：168.43 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
RSVS1921	文件：243.11 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
RZVS1921	文件：129.259 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
SA1921	文件：507.87 Kbytes Page：36 Pages	Satelliteandcellulardual-bandRFfront-end DESCRIPTION TheSA1921isanintegrateddual-bandRFfront-endthatoperatesatbothcellular(AMPS,DAMPS,andGSM)andsatellite(1515–1600MHz)frequencies,andisdesignedina13GHzfTBiCMOSprocess—QUBiC1.Thelow-bandisacombinedlow-noiseamplifier(LNA)andmixer.TheLNAhasa1.7d	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SEL1921D	文件：30.42 Kbytes Page：1 Pages	3x5RectangularLED 3×5RectangularLED	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
TLV1921	文件：1.95902 Mbytes Page：26 Pages	TLV192xFamilyof65VComparatorswithIntegrated2.5VVoltageReference 1Features •Widesupplyrange:3.3Vto65V •Fail-safeinputsupto65V •Open-drainoutputupto65V •2.5V,1.5%,100ppmmaximumvoltagereference •Referenceoutputcandriveupto1mA •3mVinputoffsetvoltage •900nspropagationdelay •Power-on-resetprovidesaknownstartupco	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UCC1921	文件：497.97 Kbytes Page：11 Pages	LatchableNegativeFloatingHotSwapPowerManager	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
V1921A	文件：90.56 Kbytes Page：2 Pages	VARACTORDIODESUHFMicrowaveSuper-HyperabruptJunction	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
W-HT-1921	文件：39.56 Kbytes Page：3 Pages	.062PowerConnectorKitPanelMountPlugandReceptacle,withExtractionandUniversalCrimpTool,5A250V	MOLEXKITSMolexKits 莫仕莫仕连接器	MOLEXKITS
W-HT-1921	文件：38.39 Kbytes Page：2 Pages	KK-100ConnectorKitVerticalandRightAngleHeaderandReceptacle,withExtractionandUniversalCrimpTool	MOLEXKITSMolexKits 莫仕莫仕连接器	MOLEXKITS

产品属性

产品编号：
MP1921HN-A-LF
制造商：
Monolithic Power Systems Inc.
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2.5A，2.5A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
12ns，9ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOICE
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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