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NCV213R	文件：743.53 Kbytes Page：18 Pages	Current-ShuntMonitors,VoltageOutput,BidirectionalZero-Drift,Low-orHigh-SideCurrentSensing TheNCS210R,NCS211R,NCS213RandNCS214Rarevoltage output,currentshuntmonitors(alsocalledcurrentsenseamplifiers) whichcanmeasurevoltageacrossshuntsatcommon−modevoltages from−0.3Vto26V,independentofsupplyvoltage.Thelowoffsetof thezero−driftarchitectureenables	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NE213	文件：559.07 Kbytes Page：4 Pages	Presetcounterselectronic	IVOBaomeng Electronics (Shanghai) Co., Ltd 堡盟电子堡盟电子（上海）有限公司	IVO
NTE213	文件：23.14 Kbytes Page：2 Pages	GermaniumPNPTransistorHighPower,HighGainAmplifier Description: TheNTE213isagermaniumPNPpowertransistorinaTO36typepackagedesignedhigh–power,high–gainapplicationsinhigh–reliabilityindustrialequipment.	NTE NTE Electronics	NTE
OD-S-213	文件：97.85 Kbytes Page：1 Pages	OutlineDrawing	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM

详细参数

型号：
MOCD213VM
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 8-Pin Optocoupler 2Ch Phototransistor
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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