MOC8106M中文资料6 引脚 DIP 高 BVCEO 光电晶体管输出光电耦合器数据手册ONSEMI规格书
MOC8106M规格书详情
描述 Description
CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。
特性 Features
• 高 BVCEO： 最小 70 V（CNY17XM、CNY17FXM、MOC8106M）
• 严格匹配的电流传输比(CTR)
• 最大程度地减少单元间的差异
• 选择组中的电流传输比
• 耦合电容非常低，且没有芯片到引脚 6 的基极连接，实现最低的噪声易感性（CNY17FXM、MOC8106M）
• 安全和法规认证：
• UL1577，4170 VACRMS（1 分钟）
• DIN-EN/IEC60747-5-5，850 V 峰值工作绝缘电压
应用 Application
• 消费型设备
• 工业级电机
技术参数
- 制造商编号
：MOC8106M
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channels
：1
- CTR (Min) (%)
：50
- CTR (Max) (%)
：150
- CTR tested @ IF (mA)
：10
- VCE(sat) (Max) (V)
：0.4
- BVCEO (Min) (V)
：70
- BVCBO (Min) (V)
：70
- BVECO (Min) (V)
：7
- ton (Max) (µs)
：2
- toff (Max) (µs)
：3
- VISO (Min) (V)
：4200
- TOPR (Min) (°C)
：-40
- TOPR (Max) (°C)
：100
- Package Type
：PDIP-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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