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HB11203	文件：153.19 Kbytes Page：2 Pages	BreakeAwayHeader.025(0.64mm)SquarePosts [FOXCONN] BreakeAwayHeader.025(0.64mm)SquarePosts	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
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L-11203	文件：21.41 Kbytes Page：1 Pages	HighQBobbins	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
MAX11203	文件：2.17988 Mbytes Page：27 Pages	16-Bit,Single-Channel,Ultra-Low-Power,Delta-SigmaADCswithProgrammableGainandGPIO GeneralDescription TheMAX11203/MAX11213areultra-low-power( BeneftsandFeatures ●MinimizePowerConsumptionwithUltra-LowPower Dissipation •Operating-ModeCurrentDrain	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX11203	文件：1.84223 Mbytes Page：14 Pages	18-Bit,Single-Channel,Ultra-LowPower,Delta-SigmaADCwith2-WireSerialInterface	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX11203	文件：1.98469 Mbytes Page：14 Pages	24-Bit,Single-Channel,Ultra-Low-Power,DeltaSigmaADCwith2-WireSerialInterface	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX11203EEE+	文件：1.07135 Mbytes Page：26 Pages	16-Bit,Single-Channel,Ultra-Low-Power,Delta-SigmaADCswithProgrammableGainandGPIO	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX11203EEE+	文件：2.17988 Mbytes Page：27 Pages	16-Bit,Single-Channel,Ultra-Low-Power,Delta-SigmaADCswithProgrammableGainandGPIO GeneralDescription TheMAX11203/MAX11213areultra-low-power( BeneftsandFeatures ●MinimizePowerConsumptionwithUltra-LowPower Dissipation •Operating-ModeCurrentDrain	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
SIP11203	文件：396.45 Kbytes Page：18 Pages	SynchronousRectifierDriverwithPowerUp/DownControl,OutputOVP,ErrorAmplifierandPrecisionReference	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIP11203	文件：386.15 Kbytes Page：18 Pages	SynchronousRectifierDriverwithPowerUp/DownControl,OutputOVP,ErrorAmplifierandPrecisionReference DESCRIPTION TheSiP11203/SiP11204providethesecondarysideerroramplifier,referencevoltageandsynchronousrectifierdriversforisolatedconvertertopologies.BothICsarecapableofbeingpoweredviaconventionalbiassupplies(outputinductorwindingorpowertransformerwinding),orfrom	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
MO11203JLF
功能描述：
金属氧化物电阻器 MO1 120K 5%
RoHS：
否
制造商：
Xicon
电阻：
6.8 kOhms
容差：
5 %
功率额定值：
5 W
温度系数：
350 PPM/C
端接类型：
Axial
工作温度范围：
- 55 C to + 235 C
尺寸：
8 mm Dia. x 25 mm L
封装：
Bulk

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