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MMZ09312BT1	文件：1.35533 Mbytes Page：28 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) High Efficiency/Linearity Amplifier The MMZ09312B is a 2-- stage high efficiency, Class AB InGaP HBT amplifier designed for use as a linear driver amplifier in wireless base station applications as well as an output stage in femtocell or r 文件：1.35533 Mbytes 页数：28 Pages	恩XP	恩XP
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更多MMZ09312BT1供应商更新时间2025-12-24 15:05:00