MMUN2136LT1G_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-单预偏置-安森美半导体

订购数量	价格
15000+	¥0.19844

厂家型号：
MMUN2136LT1G
制造商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-单预偏置
封装外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-1 14:14:00

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原厂料号：MMUN2136LT1G品牌：onsemi

资料说明：TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

MMUN2136LT1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMUN2136LT1G晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。

芯片型号：
mmun2136lt1g
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
资料说明：
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

产品属性

类型
描述
产品编号：
MMUN2136LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

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