MMUN2112LT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 ONSEMI/安森美半导体

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厂家型号：
MMUN2112LT1G
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON(安森美)
库存数量：
8000
产品封装：
标准封装
生产批号：
2021/2022+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-8-2 13:18:00

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原厂料号：MMUN2112LT1G品牌：ON(安森美)

原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品

MMUN2112LT1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置。制造商ON(安森美)/onsemi生产封装标准封装/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMUN2112LT1G晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。

芯片型号：
MMUN2112LT1G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
12 页
文件大小：
146.04 kb
资料说明：
Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k

产品属性

类型
描述
产品编号：
MMUN2112LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

供应商

企业：
深圳市利芯伟业科技有限公司
商铺：
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联系人：
曹小姐/李小姐
手机：
18123723053
询价：
电话：
18123723053
地址：
深圳市南山区西丽街道大磡社区王京坑村87号南4102

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MMUN2112LT1G

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