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MMT10B350T3

Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MMT10B350T3G

Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD

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MMT10B350T3G

Package:DO-214AA,SMB;包装:卷带(TR) 类别:电路保护 TVS - 晶闸管 描述:THYRISTOR 300V 100A DO214AA

ONSEMION Semiconductor

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详细参数

  • 型号:

    MMT10B350T3

  • 功能描述:

    硅对称二端开关元件 100A Surge 400V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Bourns 转折电流

  • VBO:

    40 V 最大转折电流

  • IBO:

    800 mA

  • 不重复通态电流:

    额定重复关闭状态电压

  • VDRM:

    25 V

  • 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下):

    保持电流(Ih

  • 最大值):

    50 mA

  • 开启状态电压:

    5 V 关闭状态电容

  • CO:

    120 pF

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    DO-214AA

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更多MMT10B350T3供应商 更新时间2025-5-1 23:00:00