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MMSZ4680ET1G数据手册分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF

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厂商型号

MMSZ4680ET1G

参数属性

MMSZ4680ET1G 封装/外壳为SOD-123;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 2.2V 500MW SOD123

功能描述

225 W Low Current Zener Diode Voltage Regulator, 2.2 V
DIODE ZENER 2.2V 500MW SOD123

封装外壳

SOD-123

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 21:09:00

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MMSZ4680ET1G规格书详情

描述 Description

Three complete series of Zener diodes are offered in the convenient, surface mount plastic SOD-123 package. These devices provide a convenient alternative to the leadless 34-package style.

特性 Features

• Small Package Size
• Can be used for High Density Applications
• Peak Power − 225 Watt (8 X 20 \u0001s)
• ESD Rating of Class 3 (>16 KV) per Human Body Model
• Pb-Free Packages are Available
• AECQ101 Qualified and PPAP Capable
• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements

应用 Application

• Voltage Regulation
• Waveform Clipping
• MOSFET Gate Protection
• General Usage Device: Suitable for many different end products

简介

MMSZ4680ET1G属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由制造生产的MMSZ4680ET1G二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMSZ4680ET1G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pricing ($/Unit)

    :$0.0441

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • VZ Typ (V)

    :2.2

  • P Max (W)

    :0.5

  • Package Type

    :SOD-123

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