MMSTA13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMSTA13 |
| 参数属性 | MMSTA13 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 30V 0.3A SOT-346 SMT3 |
| 功能描述 | NPN small signal transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-346 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
50.71 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | ROHM |
| 中文名称 | 罗姆 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-27 23:00:00 |
| 人工找货 | MMSTA13价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMSTA13规格书详情
MMSTA13属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由罗姆半导体集团制造生产的MMSTA13晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
1) High Current Gain.
产品属性
更多- 产品编号：
MMSTA13T146
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 100µA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10000 @ 100mA，5V
- 频率 - 跃迁：
125MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SMT3
- 描述：
TRANS NPN 30V 0.3A SOT-346 SMT3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES INCORPORATED |
25+ |
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DIODES INCORPORATED |
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原装ROHM |
19+ |
SOT-23 |
20000 |
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