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MMSF3P02HD中文资料功率 MOSFET,-20V,-5.6A,75mΩ,单 P 沟道,SO-8数据手册ONSEMI规格书
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描述 Description
这些微型表面贴装 MOSFET 具有超低 RDS(on) 和真正逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换相模式下的高能量,漏极-源极二极管具有很短的逆向恢复时间。这些器件设计用于高能效至关重要的低电压、高速开关应用。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理,如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可用于大容量存储产品(例如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制。雪崩能量专用于消除设计中的猜测,其中感应负载可进行切换,并提供额外的安全裕度,以抵御意外的电压瞬变。
特性 Features
• Ultra Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
• Logic Level Gate DriveCan Be Driven by Logic ICs
• Miniature SO-8 Surface Mount PackageSaves Board Space
• Diode Is Characterized for Use In Bridge Circuits
• Diode Exhibits High Speed, With Soft Recovery
• IDSS Specified at Elevated Temperature
• Avalanche Energy Specified
• Mounting Information for SO-8 Package Provided
• Pb-Free Package is Available
技术参数
- 型号:
MMSF3P02HD
- 制造商:
MOTOROLA
- 制造商全称:
Motorola, Inc
- 功能描述:
SINGLE TMOS POWER MOSFET 3.0 AMPERES 20 VOLTS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON/安森美 |
24+ |
SO-8 |
30000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOIC-8 |
12245 |
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ON/安森美 |
20+ |
SOIC-8 |
65790 |
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ON |
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SOP |
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ON/安森美 |
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SOP-8 |
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23+ |
SOP |
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1983 |
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ON/安森美 |
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SO-8 |
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