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MMST2222	文件：200.47 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable (MMST2907A) Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMST2222A	文件：79.13 Kbytes Page：3 Pages	NPNMediumPowerTransistor(Switching) Features 1)BVCEO>40V(IC=10mA) 2)ComplementstheUMT2907A/SST2907A/MMST2907A/PN2907A.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST2222A	文件：200.47 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable (MMST2907A) Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMST2222A	文件：55.75 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>40V •IC=600mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMST2907A •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifie	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST2222A	文件：126.35 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS Features -Powerdissipation PCM:0.2W(TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.6A -Collector-basevoltage V(BR)CBO:75V -Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,TSTG:-55°Cto+150°C	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMST2222A	文件：160.49 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementstheMMST2907A. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST2222A	文件：617.07 Kbytes Page：2 Pages	SOT-323BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMST2222A	文件：143.93 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST2222A	文件：189.91 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST2222A	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	NPNMediumPowerTransistor(Switching)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
MMPQ2222A_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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