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MMP60R290PC	文件：1.08658 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.29(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.08658 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMP60R290PCTH	文件：332.71 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.29Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：332.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMP60R290PCTH	文件：1.08658 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.29(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.08658 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMP60R290PC	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 0.29(ohm) N-channel MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
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更多MMP60R290PC供应商更新时间2026-1-29 17:30:00

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