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MML20211HT1

Enhancement Mode pHEMT Technology (E--pHEMT)

EnhancementModepHEMTTechnology(E--pHEMT) LowNoiseAmplifier TheMML20211Hisasingle--stagelownoiseamplifier(LNA)withactivebiasandhighisolationforuseincellularinfrastructureapplications.Itisdesignedforarangeoflownoise,highlinearityapplicationssuchaspicocell,

freescaleFreescaleiscreatingasmarter

飞思卡尔

MML20211HT1

Low Noise Amplifier

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

MML20211HT1

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP LTE 1.4GHZ-2.8GHZ 8DFN

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    MML20211HT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    1.4GHz ~ 2.8GHz

  • P1dB:

    21.3dBm

  • 增益:

    18.6dB

  • 噪声系数:

    0.65dB

  • 射频类型:

    LTE,TDS-CDMA,W-CDMA

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 电流 - 供电:

    60mA

  • 测试频率:

    2.14GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-VFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-DFN(2x2)

  • 描述:

    IC RF AMP LTE 1.4GHZ-2.8GHZ 8DFN

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更多MML20211HT1供应商 更新时间2024-5-19 17:00:00