MMJT9435中文资料PDF规格书
MMJT9435规格书详情
Bipolar Power Transistors
PNP Silicon
• Collector –Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus)
= 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc
• High DC Current Gain — hFE
= 140 (Min) @ IC = 1.2 Adc
= 125 (Min) @ IC = 3.0 Adc
• Low Collector –Emitter Saturation Voltage — VCE(sat)
= 0.275 Vdc (Max) @ IC = 1.2 Adc
= 0.68 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
• SOT–223 Surface Mount Packaging
产品属性
- 产品编号:
MMJT9435T1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
550mV @ 300mA,3A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
125 @ 800mA,1V
- 频率 - 跃迁:
110MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223(TO-261)
- 描述:
TRANS PNP 30V 3A SOT223
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2020+ |
SOT-223 |
80000 |
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询价 | ||
ON |
21+ |
SOT223 |
8800 |
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ON |
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SOT223 |
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ON |
21+ |
SOT223 |
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ON |
21+ |
SOT223 |
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ON |
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SOT223 |
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原装正品,支持实单 |
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ON |
23+ |
SOT223 |
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原装正品 |
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SOT223 |
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SOT223 |
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