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MMJT9435中文资料PDF规格书

MMJT9435
厂商型号

MMJT9435

参数属性

MMJT9435 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 30V 3A SOT223

功能描述

Bipolar Power Transistors

文件大小

94.72 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Motorola, Inc
企业简称

Motorola

中文名称

摩托罗拉官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-4 22:30:00

MMJT9435规格书详情

Bipolar Power Transistors

PNP Silicon

• Collector –Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus)

= 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc

• High DC Current Gain — hFE

= 140 (Min) @ IC = 1.2 Adc

= 125 (Min) @ IC = 3.0 Adc

• Low Collector –Emitter Saturation Voltage — VCE(sat)

= 0.275 Vdc (Max) @ IC = 1.2 Adc

= 0.68 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc

• SOT–223 Surface Mount Packaging

产品属性

  • 产品编号:

    MMJT9435T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    550mV @ 300mA,3A

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    125 @ 800mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    110MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 3A SOT223

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