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MMIX1G320N60B3分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

MMIX1G320N60B3
厂商型号

MMIX1G320N60B3

参数属性

MMIX1G320N60B3 封装/外壳为24-PowerSMD,21 引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:MOSFET N-CH

功能描述

Medium-Speed Low-Vsat PT IGBT for 5-40 kHz Switching
MOSFET N-CH

封装外壳

24-PowerSMD,21 引线

文件大小

250.62 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 18:31:00

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MMIX1G320N60B3规格书详情

MMIX1G320N60B3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的MMIX1G320N60B3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MMIX1G320N60B3

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.5V @ 15V,100A

  • 开关能量:

    2.7mJ(开),5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    44ns/250ns

  • 测试条件:

    480V,100A,1 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    24-PowerSMD,21 引线

  • 供应商器件封装:

    24-SMPD

  • 描述:

    MOSFET N-CH

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