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MMIX1F40N110P

SMPD封装HiPerFET™和MOSFET

• 超低紧凑型封装形式\n• 可通过标准回流工艺进行表面安装\n• 封装重量轻\n• 高达4500V陶瓷隔离(DCB)\n• 较低的封装电感\n• 卓越的热性能\n• 高功率循环能力;

Littelfuse

力特

MMIX1F40N110P

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier

文件:184.91 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

MMK15684K250B10L4BULK

KEMET
DIP

KEMETKEMET Corporation

基美

上传:深圳市和悦电子贸易有限公司

MMK27.5565K400F16L4TRAY

KEMET/基美
DIP

KEMET/基美

MMK27.5565K400F18L4TRAY

KEMET/基美
DIP

KEMET/基美

详细参数

  • 型号:

    MMIX1F40N110P

  • 功能描述:

    MOSFET SMPD MOSFETs Power Device

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多MMIX1F40N110P供应商 更新时间2025-10-4 14:15:00