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MMIS70H900QTH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 3.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 700V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.4Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

文件:376.98 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MMIS70H900QTH

700V 1.4(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.1296 Mbytes 页数:9 Pages

MGCHIP

MMIS70H900QTH

700V N-Ch MOSFET

MagnaChip

美格纳

MMIS70H900Q

700V 1.4(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.1296 Mbytes 页数:9 Pages

MGCHIP

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更多MMIS70H900QTH供应商 更新时间2026-2-1 14:02:00