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MMH3111NT1

Heterostructure Field Effect Transistor

250-4000MHz,12dB22.5dBmGaAsHFET TheMMH3111NT1isaGeneralPurposeAmplifierthatisinternallyinputandoutputprematched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom250t

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飞思卡尔

MMH3111NT1

Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET)

250--4000MHz,12dB22.5dBmGaAsHFETGPA TheMMH3111NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputprematched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

MMH3111NT1

Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET)

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飞思卡尔

MMH3111NT1

包装:散装 封装/外壳:TO-243AA 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC AMP CELL 250MHZ-4GHZ SOT89-4

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恩智浦恩智浦半导体公司

MMH3111NT1_08

Heterostructure Field Effect Transistor (GaAs HFET)

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飞思卡尔

产品属性

  • 产品编号:

    MMH3111NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    散装

  • 频率:

    250MHz ~ 4GHz

  • P1dB:

    22.5dBm

  • 增益:

    12dB

  • 噪声系数:

    3.2dB

  • 射频类型:

    手机,PCS,ISM,WLL

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 电流 - 供电:

    150mA

  • 测试频率:

    900MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89-4

  • 描述:

    IC AMP CELL 250MHZ-4GHZ SOT89-4

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更多MMH3111NT1供应商 更新时间2024-5-21 11:26:00