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MMFT3055VLT3	文件：300 bytes Page：1 Pages	TMOS POWER FET 1.5 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.140 OHM TMOS V™ SOT-223 for Surface Mount\nN–Channel Enhancement–Mode Silicon GateTMOS V is a new technology designed to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density of our 50 and 60 volt TMOS devices. Just as w	恩XP	恩XP
MMFT3055VLT3	文件：224.93 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：224.93 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMG3004NT1	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN12	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳市易芯易电子科技有限公司	FREESCALE
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