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MMF60R290PTH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.29Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

文件:323.12 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MMF60R290PTH

600V 0.29(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.13529 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

MMF60R290PTH

600V N-Ch MOSFET

MagnaChip

美格纳

MMFT60R290P

600V 0.29(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.16515 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

MMFT60R290PC

600V 0.29(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.09645 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

MMFT60R290PCTH

600V 0.29(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.09645 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

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TO-220
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更多MMF60R290PTH供应商 更新时间2026-2-3 10:20:00