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MMF50R280PTH	文件：322.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.28Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：322.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMF50R280PTH	文件：1.09994 Mbytes Page：10 Pages	500V 0.28(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.09994 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF50R280PTH	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
IIPD50R280CE	文件：335.54 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IIPP50R280CE	文件：338.14 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IIPW50R280CE	文件：335.58 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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