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MMDT3906V-TP	文件：119.47 Kbytes Page：4 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpitaxialDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-smallSurfaceMountPackage •Marking:KA	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMPQ3906	文件：141.35 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONQUADTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMMPQ3906,consistingoffourtransistorsandavailableintheSOIC-16surfacemountpackage,isdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MMPQ3906	文件：81.38 Kbytes Page：6 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10µAto100mA.SourcedfromProcess66.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMPQ3906	文件：150.63 Kbytes Page：4 Pages	QuadAmplifier/SwitchTransistorPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMST3906	文件：169.46 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO>−40V(IC=−1mA) 2)ComplementstheUMT3904/SST3904/MMST3909/2N3904.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST3906	文件：200.68 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMST3904) Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMST3906	文件：42.63 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-40V •IC=-200mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:MMST3904 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST3906	文件：328.39 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Powerdissipation. ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementarytoMMST3904. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplicationandswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST3906	文件：134.29 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST3906	文件：322.99 Kbytes Page：9 Pages	150mALOADSWITCHFEATURINGCOMPLEMENTARYBIPOLARTRANSISTORS	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
MMDT3906V-T
功能描述：
两极晶体管 - BJT 200mA 40V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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