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MMDT3904V-TP	文件：115.54 Kbytes Page：5 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpitaxialDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-smallSurfaceMountPackage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMPQ3904	文件：142.32 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONQUADTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMMPQ3904,consistingoffourtransistorsandavailableintheSOIC-16surfacemountpackage,isdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MMPQ3904	文件：100.83 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
MMPQ3904	文件：99.48 Kbytes Page：7 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMPQ3904	文件：45.65 Kbytes Page：4 Pages	QuadAmplifier/SwitchTransistorNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMPQ3904	文件：77.9 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.SourcedfromProcess23.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMST3904	文件：302.17 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Powerdissipation.(PC=0.2W) ●ComplementstheMMST3906. APPLICATIONS ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST3904	文件：441.2 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST3904	文件：322.99 Kbytes Page：9 Pages	150mALOADSWITCHFEATURINGCOMPLEMENTARYBIPOLARTRANSISTORS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST3904	文件：90.71 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO>40V(IC=1mA) 2)ComplementstheUMT3906/SST3906/MMST3906 /2N3906.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
MMDT3904V-TP
功能描述：
两极晶体管 - BJT 200mA 40V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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