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MMBZ6V8ALT1G中文资料静电和浪涌保护数据手册HXY MOSFET规格书

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厂商型号

MMBZ6V8ALT1G

参数属性

MMBZ6V8ALT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;MMBZ6V8ALT1G应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 4.5VWM 9.6VC SOT23-3

功能描述

静电和浪涌保护

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

HXY MOSFET Shenzhen Huaxuanyang Electronics Co., Ltd.

中文名称

华轩阳电子 深圳市华轩阳电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MMBZ6V8ALT1G

  • 生产厂家

    :HXY MOSFET

  • IPP / A

    :2.5

  • VRWM /V

    :4.5

  • CJ @Typ / pF

    :/

  • Line

    :2

  • Bi or Uni

    :Uni单向

  • VBR / V

    :7.14

  • VC / V

    :9.6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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