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MMBV609LT1G分立半导体产品的二极管-可变电容（变容器可变电抗器）规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMBV609LT1G |
| 参数属性 | MMBV609LT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的二极管-可变电容（变容器可变电抗器）；产品描述：DIODE TUNING SS 20V SOT23 |
| 功能描述 | Silicon Tuning Diode |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
46.12 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-18 23:00:00 |
| 人工找货 | MMBV609LT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBV609LT1G规格书详情
MMBV609LT1G属于分立半导体产品的二极管-可变电容（变容器可变电抗器）。由安森美半导体制造生产的MMBV609LT1G二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）可变电容二极管可按照电子可变电容器用途进行生产和分类，并且广泛用于调谐和频率合成应用。虽然大多数二极管的结电容都随着所施加的反向偏压增加而减小，并且能够用作可变电容二极管，但专门作为此类器件销售的产品在生产和分类时特别考虑了这种用途。
产品属性
更多- 产品编号：
MMBV609LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 不同 Vr、F 时电容：
32pF @ 3V，1MHz
- 电容比条件：
C3/C8
- 二极管类型：
1 对共阴极
- 不同 Vr、F 时 Q 值：
450 @ 3V，50MHz
- 工作温度：
125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
DIODE TUNING SS 20V SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8048 |
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