MMBV2108LT1G_分立半导体产品二极管-可变电容（变容器可变电抗器）-安森美半导体

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厂家型号：
MMBV2108LT1G
制造商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品二极管-可变电容（变容器可变电抗器）
封装外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-11-16 14:00:00

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原厂料号：MMBV2108LT1G品牌：onsemi

资料说明：DIODE TUNING SS 30V SOT-23

MMBV2108LT1G是分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMBV2108LT1G二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）可变电容二极管可按照电子可变电容器用途进行生产和分类，并且广泛用于调谐和频率合成应用。虽然大多数二极管的结电容都随着所施加的反向偏压增加而减小，并且能够用作可变电容二极管，但专门作为此类器件销售的产品在生产和分类时特别考虑了这种用途。

芯片型号：
MMBV2108LT1G
规格书：
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企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
资料说明：
DIODE TUNING SS 30V SOT-23

产品属性

类型
描述
产品编号：
MMBV2108LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
包装：
卷带（TR）
不同 Vr、F 时电容：
29.7pF @ 4V，1MHz
电容比条件：
C2/C30
二极管类型：
单路
不同 Vr、F 时 Q 值：
300 @ 4V，50MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
DIODE TUNING SS 30V SOT-23

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MMBV2108LT1G

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