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MMBV2105LT1G	文件：70.02 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Tuning Diodes ThesedevicesaredesignedinpopularplasticpackagesforthehighvolumerequirementsofFMRadioandTVtuningandAFC,generalfrequencycontrolandtuningapplications.Theyprovidesolid−statereliabilityinreplacementofmechanicaltuningmethods.AlsoavailableinaSurfaceMountPackage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBV2105LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）描述：DIODE TUNING SS 30V SOT23	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJ2105LT1G	文件：1.75588 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes Features 420Wpeakpulsepower (8/20μs) Protectstwobi-directionallines Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:24V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-4(EFT)40A	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NUP2105LT1	文件：77.33 Kbytes Page：8 Pages	DualLineCANBusProtector	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUP2105LT1	文件：57.64 Kbytes Page：8 Pages	DualLineCANBusProtector DualLineCANBusProtector TheSZ/NUP2105LhasbeendesignedtoprotecttheCANtransceiverinhigh−speedandfaulttolerantnetworksfromESDandotherharmfultransientvoltageevents.ThisdeviceprovidesbidirectionalprotectionforeachdatalinewithasinglecompactSOT−23package,gi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUP2105LT1	文件：148.57 Kbytes Page：8 Pages	DualLineCANBusProtector DualLineCANBusProtector TheSZ/NUP2105LhasbeendesignedtoprotecttheCANtransceiverinhigh−speedandfaulttolerantnetworksfromESDandotherharmfultransientvoltageevents.ThisdeviceprovidesbidirectionalprotectionforeachdatalinewithasinglecompactSOT−23package,gi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NUP2105LT1G	文件：2.081139 Mbytes Page：4 Pages	2-Linebi-directionalTVSDiode Features 300wpeakpulsepower(8/20ps) Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:24V Lowclampingvoltage *Complieswithfollowingstandards: —IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+30kV Contactdischarge:+30kV —IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) —IEC6100	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

产品属性

产品编号：
MMBV2105LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
不同 Vr、F 时电容：
16.5pF @ 4V，1MHz
电容比条件：
C2/C30
二极管类型：
单路
不同 Vr、F 时 Q 值：
400 @ 4V，50MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
DIODE TUNING SS 30V SOT23

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