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MMBV2101LT1G分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器)规格书PDF中文资料

MMBV2101LT1G
厂商型号

MMBV2101LT1G

参数属性

MMBV2101LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器);产品描述:DIODE TUNING SS 30V SOT23

功能描述

Silicon Tuning Diodes
DIODE TUNING SS 30V SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

70.02 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-2 20:00:00

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MMBV2101LT1G规格书详情

MMBV2101LT1G属于分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器)。由安森美半导体公司制造生产的MMBV2101LT1G二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)可变电容二极管可按照电子可变电容器用途进行生产和分类,并且广泛用于调谐和频率合成应用。虽然大多数二极管的结电容都随着所施加的反向偏压增加而减小,并且能够用作可变电容二极管,但专门作为此类器件销售的产品在生产和分类时特别考虑了这种用途。

These devices are designed in popular plastic packages for the high volume requirements of FM Radio and TV tuning and AFC, general frequency control and tuning applications. They provide solid−state reliability in replacement of mechanical tuning methods. Also available in a Surface Mount Package up to 33 pF.

特性 Features

• High Q

• Controlled and Uniform Tuning Ratio

• Standard Capacitance Tolerance − 10

• Complete Typical Design Curves

• Pb−Free Packages are Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MMBV2101LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    7.5pF @ 4V,1MHz

  • 电容比条件:

    C2/C30

  • 二极管类型:

    单路

  • 不同 Vr、F 时 Q 值:

    450 @ 4V,50MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE TUNING SS 30V SOT23

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