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MMBTH10-4LT1分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMBTH10-4LT1 |
| 参数属性 | MMBTH10-4LT1 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 |
| 功能描述 | VHF/UHF Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
88.02 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-14 18:00:00 |
| 人工找货 | MMBTH10-4LT1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBTH10-4LT1规格书详情
MMBTH10-4LT1属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由安森美半导体制造生产的MMBTH10-4LT1晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
NPN Silicon VHF/UHF Transistor
NPN Silicon
• Device Marking: 3EM
产品属性
更多- 产品编号：
MMBTH10-4LT1
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
- 频率 - 跃迁：
800MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 4mA，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
SOT23-3 |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT23 |
12000 |
询价 | |||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON |
1645+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON Semiconductor |
2022+ |
SOT-23-3(TO-236) |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2447 |
SOT-23(SOT-23-3) |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 |
