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MMBTA92-6AF中文资料SOT-23 PNP High Voltage Transistor数据手册FOSAN规格书
MMBTA92-6AF规格书详情
描述 Description
晶体管类型: PNP
集电极电流(Ic): 200mA
集射极击穿电压(Vceo): 300V
耗散功率(Pd): 300mW
技术参数
- 制造商编号
：MMBTA92-6AF
- 生产厂家
：FOSAN
- 集电极电流(Ic)
：-200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
：-300V
- 耗散功率(Pd)
：300mW
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
：-200mV
- 直流电流增益(hFE)
：100mA-200mA
- 特征频率(fT)
：50MHz
- 工作温度
：-55℃~+150℃
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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DIODES INCORPORATED |
21+ |
标准封装 |
220 |
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SOT-23-3 |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
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DIODES/美台 |
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SOT-23-3 |
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