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MMBTA55中文资料PDF规格书

MMBTA55
厂商型号

MMBTA55

参数属性

MMBTA55 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3

功能描述

NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

文件大小

1.16973 Mbytes

页面数量

5

生产厂商 PANJIT International Inc.
企业简称

PANJIT强茂

中文名称

強茂股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-15 11:17:00

晶体管资料

  • 型号:

    MMBTA55

  • 别名:

    MMBTA55三极管、MMBTA55晶体管、MMBTA55晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_通用 (G)

  • 封装形式:

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    0.5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

  • 可代换的型号:

    3DK30C,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    NO

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    .5

  • wtest:

    .3

MMBTA55规格书详情

VOLTAGE 60~80 Volts

POWER 225 mWatts

FEATURES

• NPN and PNP silicon, planar design

• Collector current IC = 100mA

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

产品属性

  • 产品编号:

    MMBTA55

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
长电
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SOT-23
50000
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