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MMBT918中文资料PDF规格书

MMBT918
厂商型号

MMBT918

参数属性

MMBT918 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

功能描述

VHF/UFH Transistor

文件大小

625.77 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Yea Shin Technology Co., Ltd
企业简称

YEASHIN亞昕科技

中文名称

亞昕科技股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-1 17:25:00

晶体管资料

  • 型号:

    MMBT918

  • 别名:

    MMBT918三极管、MMBT918晶体管、MMBT918晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

  • 性质:

    射频/高频放大 (HF)_宽频带放大 (A)

  • 封装形式:

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    0.05A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

  • 可代换的型号:

    3DG122D,

  • 最大耗散功率:

    0.35W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    NO

  • vtest:

    30

  • htest:

    999900

  • atest:

    .05

  • wtest:

    .35

MMBT918规格书详情

VHF / UFH Transistor

NPN Silicon

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT918

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    600MHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    6dB @ 60MHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 3mA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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